VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P_深圳市佰昇电子有限公司

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产品分类

电源IC(3)

DC-DC(1)
稳压IC(2)

半导体存储器(1)场效应管MOSFET(3)

MOSFET(3)

单片机(2)电源/稳压器(3)

模块电源/电源模块(3)

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VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P

VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P

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VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P

品牌/商标：

Vishay/威世通

型号/规格：

SI2305DS-T1-E3

种类：

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：

P沟道

导电方式：

增强型

封装外形：

SMD(SO)/表面封装

材料：

P-FET硅P沟道

QQ:912444891

询价

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产品信息

晶体管极性:P通道

电流, Id 连续:-3.5A
电压, Vds :-8V
在电阻RDS（上）:52mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:-800mV
功耗, Pd:1.25W
封装类型:TO-236
针脚数:3
功耗:1.25W
封装类型:TO-236
漏极电流, Id 值:3.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-8V
电压, Vgs :-800mV
表面安装器件:表面安装