INFINEON 英飞凌场效应管 IPP100N08N3 G_深圳市佰昇电子有限公司

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产品分类

电源IC(3)

DC-DC(1)

稳压IC(2)

半导体存储器(1)

场效应管MOSFET(3)

MOSFET(3)

单片机(2)

INFINEON 英飞凌场效应管 IPP100N08N3 G

型号/规格：

IPP100N08N3 G

材料：

GE-N-FET锗N沟道

用途：

DC/直流

品牌/商标：

INFINEON/英飞凌

沟道类型：

MOSFET N 通道，金属氧化物

种类：

绝缘栅(MOSFET)

导电方式：

增强型

询价

产品信息

FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（）闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 安装类型封装/外壳

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准

80V

70A

10 毫欧 @ 46A，10V

3.5V @ 46µA

35nC @ 10V

2410pF @ 40V

100W

通孔

TO-220-3

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电源IC(3)

半导体存储器(1)

场效应管MOSFET(3)

单片机(2)

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