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产品分类
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VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P
品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:SI2305DS-T1-E3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道
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IRF9Z24NPBF 场效应管 MOSFET P TO-220 55V 12A
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF9Z24NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道
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INFINEON 英飞凌场效应管 IPP100N08N3 G
型号/规格:IPP100N08N3 G 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:DC/直流 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型